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2019年下半年全球FAB廠設(shè)備支出反彈,預計2020年將更強勁
2019-12-23

    《世界晶圓廠預測》(World fab Forecast)今日發(fā)布的下半年報告顯示,由于上半年表現(xiàn)疲弱,今年下半年內(nèi)存投資激增,預計2019年全球晶圓廠設(shè)備支出已上調(diào)至566億美元。報告數(shù)據(jù)顯示,2018年至2019年,晶圓廠設(shè)備投資僅下降7%,較之前預測的18%降幅明顯改善。不斷增長的內(nèi)存投資(尤其是3D NAND)為這一轉(zhuǎn)變提供了動力。 

    SEMI還將其2020年工廠設(shè)備投資預測修正為更樂觀的580億美元。圖1中的黃色趨勢線顯示,2018年下半年和2019年上半年的總投資分別下降了10%和12%,這一反彈打破了全球制造業(yè)設(shè)備支出放緩的局面。2019年前6個月,由于3D NAND領(lǐng)域的投資受到特別嚴重的打擊,fab內(nèi)存設(shè)備支出下降38%,至100億美元以下,較2018年下半年暴跌57%。DRAM投資在2018年下半年下降了12%,今年上半年又下降了12%。 

Fab_equipment_spending.png

    下降趨勢在2019年底突然轉(zhuǎn)變。目前,在臺積電(TSMC)和英特爾(Intel)的帶動下,2019年下半年,對尖端邏輯和鑄造業(yè)的投資預計將攀升26%,同期3D NAND支出將飆升逾70%。雖然今年上半年DRAM投資繼續(xù)下降,但7月份以來的下降幅度較為平緩。

    在索尼的帶動下,圖像傳感器的支出預計在2020年上半年將增長20%,下半年將飆升90%以上,達到16億美元的峰值。由英飛凌、ST微電子和博世公司推動的電力相關(guān)設(shè)備投資預計在2020年上半年將增長40%以上,下半年將增長29%,達到近17億美元。


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